收藏本站
NP34N055HHE, NP34N055IHE, NP34N055SHE
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-251 (JEITA) / MP-3
2) TO-252 (JEITA) / MP-3Z
6.5 ± 0.2
5.0 ± 0.2
2.3 ± 0.2
0.5 ± 0.1
6.5 ± 0.2
5.0 ± 0.2
2.3 ± 0.2
0.5 ± 0.1
4
4
1
2
3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
1
2
3
0.9 MAX.
0.8 MAX.
2.3 TYP.
? 0.1
0.5 + 0.2
2.3 TYP.
? 0.1
0.5 + 0.2
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
2.3 TYP.
2.3 TYP.
0.8 TYP.
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
3) TO-252 (JEDEC) / MP-3ZK
6.5 ± 0.2
5.1 TYP.
2.3 ± 0.1
0.5 ± 0.1
4
4.3 MIN.
No Plating
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
1
2
3
No Plating
Gate
Body
Diode
1.14 MAX.
2.3
2.3
0.76 ± 0.12
1. Gate
2. Drain
1.0
0 to 0.25
0.5 ± 0.1
Gate
Protection
Diode
Source
3. Source
4. Fin (Drain)
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When
this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated
voltage may be applied to this device.
6
Data Sheet D14153EJ4V0DS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NP34N055SLE-E1-AY MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
NP36N055SHE-E1-AY MOSFET N-CH 55V 36A TO252
NP36N055SLE-E1-AY MOSFET N-CH 55V 36A TO-252
NP36P04KDG-E1-AY MOSFET P-CH -40V -36A TO-263
NP36P04SDG-E1-AY MOSFET P-CH -40V -36A TO-252
NP36P06KDG-E1-AY MOSFET P-CH -60V -36A TO-263
NP40N055MLE-S18-AY MOSFET N-CH 55V 40A TO-220
NP50P04KDG-E1-AY MOSFET P-CH -40V -50A TO-263
相关代理商/技术参数
NP34N055SLE-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP34W 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 3-G, 3 STRP MT BLANK, WH
NP3500SAMCT3G 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:50A, Ultra Low Capacitance TSPD
NP3500SAT3G 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 350V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP3500SB1T3G 功能描述:肖特基二极管与整流器 330V 80A SMB SPCL THY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
NP3500SBMCT3G 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP3500SBT3G 功能描述:硅对称二端开关元件 80A 350V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP3500SCG 功能描述:硅对称二端开关元件 THY SMB 10A 350V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA